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氧化镓(Gallium Oxide,Ga2O3)和金刚石(diamond) BIS公告称,氧化镓和金刚石是可以在更恶劣条件下工作的半导体材料,能承受更高的电压或更高的温度,采用这些材料生产出来的设备具备更高的军事潜力。 按照材料性质划分,半导体衬底目前大致可划分为四代: 第一代以硅(Si)、锗(Ge),为代表,主要应用于低压、低频、低功率的部分功率器件、集成电路; 第二代以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等为代表,被广泛应用于光电子和微电子领域; 第三代以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体为代表,在介电常数、导热率及工作温度等方面具有显著优势,目前已逐步应用在5G通信、新能源汽车、光伏等领域; 氧化镓、金刚石等被视为第四代半导体材料。 北京科技大学教授李成明曾介绍,氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,与碳化硅、氮化镓相比,氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV,高于碳化硅的3.25eV和氮化镓的3.4eV,确保了其抗辐照和抗高温能力,可以在高低温、强辐射等极端环境下保持稳定的性质;而其高击穿场强的特性则确保了制备的氧化镓器件可以在超高电压下使用,有利于提高载流子收集效率。 从市场调查公司富士经济2019年6月对宽禁带功率半导体元件的全球市场预测来看,2030年氧化镓功率元件的市场规模将会达到1542亿日元(约人民币92.8亿元),这个市场规模甚至超过氮化镓功率元件的规模(1085亿日元,约人民币65.1亿元)。 目前,针对氧化镓展开研究的各大企业、高校和研究所都对氧化镓的性能寄予厚望,但距离真正实际应用还需要解决很多关键的瓶颈问题。研发上遇到的障碍主要有两方面,一是大尺寸高质量单晶的制作,目前仅有日企研发出6英寸单晶,但还未实现批量供货。二是氧化镓材料大功率、高效率电子器件还处于实验室阶段的研发,在大规模实际应用方面还有欠缺。 中国科技部今年已将氧化镓列入“十四五重点研发计划”。而美国目前正从前沿军事技术布局的角度大力发展氧化镓材料。美国空军研究实验室、美国海军实验室和美国宇航局,积极寻求与美国高校和全球企业合作,开发耐更高电压、尺寸更小、更耐辐射的氧化镓功率器件。 电子计算机辅助设计软件(Electronic Computer-Aided Design,ECAD) ECAD是一类用于设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板性能的软件工具。 BIS公告称,此次被纳入管制范围ECAD软件,是专门被用于开发具有全栅极场效应晶体管 (GAAFET) 结构集成电路的软件。 GAAFET晶体管结构是实现3nm及以下技术节点的关键。该技术使生产更快、更节能、更耐辐射的集成电路成为可能,可以用于推进许多商业和军事应用,包括国防和通信卫星。 今年6月,三星已使用GAAFET技术量产3nm制程芯片,尚未公布具体客户名单。而台积电已宣布,3nm制程仍将采用FinFET晶体管结构,最早到2nm制程时才会使用GAAFET结构。 曾有半导体行业媒体撰文指出,采用GAAFET晶体管结构制造的芯片,性能有望提升25%,功耗降低50%。而使用FinFET结构,性能和功耗的改善大致都在15%到20%的范围内。但两种技术的难度和成本应该并不相同。 元达律师事务所资深顾问詹凯向观察者网指出,用于开发GAAFET晶体管结构的ECAD软件将被美国添加到新的出口管制分类编号3D006下的商业管制清单(CCL)中。对于在NS列中带有“X”的国家/地区,出于国家安全 (NS) 和反恐 (AT) 的原因,这将需要出口许可证,包括中国也属于受限国家。 他认为,美国严格限制EDA领域是比较困难的,这将给当前已经面临严重不确定性的半导体产业带来巨大伤害。本次美国采取的临时禁令和之前判断一致,主要针对的是“3nm及以下”先进制程的ECAD,而不是全产品线和产业链均需要使用的EAD产品。从这个角度看,美方“小院高墙”的出口管制政策并没有改变。 目前,国内已涌现出华大九天、广立微、概伦电子、芯和半导体等多家EDA厂商。被视为国产EDA龙头的华大九天去年曾在招股书中透露,该公司既有模拟电路设计及验证工具尚不支持16nm及以下先进工艺设计。 图片来源:华大九天招股说明书(注册稿) 压力增益燃烧技术(Pressure Gain Combustion,PGC) BIS公告称,压力增益燃烧技术在陆地和航空航天领域具有广泛的应用潜力,涉及应用包括火箭和高超音速系统等。2020年,美国国家科学院曾把压力增益燃烧等技术列入先进燃气轮机十大优先研究领域。该技术利用多种物理现象,包括共振脉冲燃烧、定容燃烧和爆震,导致穿过燃烧器的有效压力上升,而消耗的燃烧量相同,有潜力把燃气涡轮发动机效率提高10%以上。不过,BIS目前尚无法确认任何正在生产中的发动机使用了这项技术,但已经有大量研究指向潜在生产。
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